Магнитоэлектрические слоистые структуры на монокристаллических сапфировых подложках

Специализированные предприятия производят монокристаллические сапфировые подложки, готовые к полупроводниковой эпитаксии («кремний на сапфире») и последующему изготовлению микроэлектронных устройств. Однако, формирование на них тонких металлических и диэлектрических пленок проблематично из-за различия структур.

Исторически сапфировые подложки для радиоэлектроники производятся из заготовок, выращенных по методу Киропулоса  (Чохральского) с кубической кристаллической структурой. Выращиванием сапфира по методу Степанова получают пластины с тетрагональной кристаллической структурой для последующего изготовления механических деталей.

Формирование магнитоэлектрических (МЭ) слоистых и градиентных  структур на монокристаллической сапфировой подложке, обладающей тетрагональной структурой, позволяет получить качественные монокристаллические пленки, свойства которых будут сравнимы со свойствами объемных монокристаллов.

Основные направления развития : отработка технологии изготовления тонких сапфировых подложек, выращенных по методу Степанова, разработка технологии формирования МЭ слоистых структур, разработка технологии формирования МЭ слоистых структур на основе новых перспективных материалов. 

Конкурентные преимущества. В России и за рубежом интенсивно ведутся работы по созданию МЭ НЧ и СВЧ приборов. Однако, для их промышленной реализации необходимо получить высокотехнологичные и качественные МЭ слоистые структуры. В рамках проекта будет решена эта проблема, да еще и с большей функциональностью: будут отработаны новые технологии формирования пленочных слоистых структур на монокристаллической сапфировой подложке, обладающей тетрагональной структурой,  и будут получены новые слоистые структуры со свойствами, сравнимыми со свойствами объемных монокристаллов.

Научный руководитель проекта, д.ф.-м.н., проф. Бичурин М. И., тел. 8(8162) 974267, Mirza.Bichurin@novsu.ru